庫號：D301889 

該儀器為了能直接讀取壽命值編寫了軟件存入數(shù)字存儲示波器，這些軟件依照少子壽命測量的基本原理編寫，同時采用了標(biāo)準(zhǔn)（MF28及MF1535）中的幾種讀數(shù)方法。



該儀器擴(kuò)大了晶體少子壽命可測范圍，除配置了波長為1.07μm的紅外發(fā)光管外，增加配備了波長為0.904～0.905μm光強(qiáng)的紅外激光器，減小了光源的余輝，使晶體（研磨面）可測電阻率低至0.3Ω·cm，壽命可測下限延至0.25μs。



LT-100C型壽命儀配有兩種光源電極臺，一種波長為1.07μm，適合于測量硅單晶塊或棒的體壽命；另一種波長為0.904～0.905μm，適合于測量切割或研磨太陽能硅片的相對壽命，與微波反射法測量條件相近，因此測量值也較接近



參數(shù)







（1）儀器測量范圍：



少子壽命測量范圍：0.25μS～10ms；晶體樣品（研磨面）電阻率下限≥0.3Ω·cm，尚未發(fā)現(xiàn)電阻率測量上限。



型號：N型或P型單晶或鑄造多晶。



（2）光脈沖發(fā)生裝置



重復(fù)頻率＞15次/S 脈寬≥10μs



紅外光源長波長：1.06～1.08μm 脈沖電流：～16A



紅外光源短波長：0.904～0.905μm 脈沖電流：～16A



（3）高頻源



頻率：30MHZ 低輸出阻抗 輸出功率＞1W



（4）放大器和檢波器



頻率響應(yīng)：2HZ～2MHZ



放大倍數(shù)：30倍（約）



（5）儀器所配置的光源電極臺既可測縱向放置的單晶，亦可測量豎放單晶橫截面的壽命。配置增加了測量低阻樣片用的升降臺以及裝有特殊彈形電極的光源電極臺。



（6）讀數(shù)方式：可選配載流子壽命測試軟件系統(tǒng)或數(shù)字示波器讀數(shù)，軟件系統(tǒng)測試操作簡單，點擊“測量”即可，自動保存數(shù)據(jù)及相應(yīng)測試點衰減波形到數(shù)據(jù)庫，可進(jìn)行查詢歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。

該儀器為了能直接讀取壽命值編寫了軟件存入數(shù)字存儲示波器，這些軟件依照少子壽命測量的基本原理編寫，同時采用了標(biāo)準(zhǔn)（MF28及MF1535）中的幾種讀數(shù)方法。



該儀器擴(kuò)大了晶體少子壽命可測范圍，除配置了波長為1.07μm的紅外發(fā)光管外，增加配備了波長為0.904～0.905μm光強(qiáng)的紅外激光器，減小了光源的余輝，使晶體（研磨面）可測電阻率低至0.3Ω·cm，壽命可測下限延至0.25μs。



LT-100C型壽命儀配有兩種光源電極臺，一種波長為1.07μm，適合于測量硅單晶塊或棒的體壽命；另一種波長為0.904～0.905μm，適合于測量切割或研磨太陽能硅片的相對壽命，與微波反射法測量條件相近，因此測量值也較接近



參數(shù)







（1）儀器測量范圍：



少子壽命測量范圍：0.25μS～10ms；晶體樣品（研磨面）電阻率下限≥0.3Ω·cm，尚未發(fā)現(xiàn)電阻率測量上限。



型號：N型或P型單晶或鑄造多晶。



（2）光脈沖發(fā)生裝置



重復(fù)頻率＞15次/S 脈寬≥10μs



紅外光源長波長：1.06～1.08μm 脈沖電流：～16A



紅外光源短波長：0.904～0.905μm 脈沖電流：～16A



（3）高頻源



頻率：30MHZ 低輸出阻抗 輸出功率＞1W



（4）放大器和檢波器



頻率響應(yīng)：2HZ～2MHZ



放大倍數(shù)：30倍（約）



（5）儀器所配置的光源電極臺既可測縱向放置的單晶，亦可測量豎放單晶橫截面的壽命。配置增加了測量低阻樣片用的升降臺以及裝有特殊彈形電極的光源電極臺。



（6）讀數(shù)方式：可選配載流子壽命測試軟件系統(tǒng)或數(shù)字示波器讀數(shù)，軟件系統(tǒng)測試操作簡單，點擊“測量”即可，自動保存數(shù)據(jù)及相應(yīng)測試點衰減波形到數(shù)據(jù)庫，可進(jìn)行查詢歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。