西門子型號介紹IGBT模塊SKM200GB128D

本公司主要經(jīng)營：西門子S72/3/400、S71200、S71500全系列，觸摸屏6AV，DP接頭，6XV總線電纜，通訊模塊6GK系列，SITOP電源6EP系列。變頻調(diào)速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090，C98043等系列，6SE70，MM4系列及變頻調(diào)速器配件。數(shù)控伺服6SN,6FC,S120,G120。產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)保一年。

IGBT模塊SKM200GB128D西門子S7-300系列的常用組件主要有電源模塊（1）、CPU模塊（1）、開關(guān)量模塊（2）、開關(guān)量輸出模塊（2）、模擬量輸入模塊（2）、模擬量輸出模塊。說明如下：注意:*的可帶電阻是6K，如果電位計(jì)支持直接輸出一個(gè)可變的電壓，那么電位計(jì)的首端應(yīng)該連接V＋，M端連接M－.如果參數(shù)化為“Word”，可以讀進(jìn)兩個(gè)值。 為了實(shí)現(xiàn)浮動參考電位，可如圖2-6所示，用螺絲刀將CPU上的接地滑塊向前推動到位。

柵極過電壓、過電流防護(hù)

傳統(tǒng)保護(hù)模式：防護(hù)方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設(shè)置一些保護(hù)元件，如下圖的電阻RGE的作用，是使柵極積累電荷泄放（其阻值可取5kΩ）;兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1和V2，是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。在這些應(yīng)用中，IGBT通常是以模塊的形式存在，由IGBT與FWD（續(xù)流芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模半導(dǎo)體產(chǎn)品。使用模塊的優(yōu)點(diǎn)是IGBT已封裝好，安裝非常方便，并且外殼上具有散熱裝置，大功率工作時(shí)散熱快。另外，還有實(shí)現(xiàn)控制電路部分與被驅(qū)動的IGBT之間的隔離設(shè)計(jì)，以及設(shè)計(jì)適合柵極的驅(qū)動脈沖電路等。然而即使這樣，在實(shí)際使用的工業(yè)環(huán)境中，以上方案仍然具有比較高的產(chǎn)品失效率——有時(shí)甚至?xí)?%。相關(guān)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和研究表明：這和瞬態(tài)浪涌、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關(guān)系，而穩(wěn)壓管在此的響應(yīng)時(shí)間和耐電流能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足，從而導(dǎo)致IGBT過熱而損壞。

IGBT模塊SKM200GB128DFM357－2的固件版本為V3.2/V3.3在下列情況下*編碼器的采樣值可能會不正確，F(xiàn)M357－2固件版本為V3.4時(shí)這些問題將被解決。35：SM322-1HH01也能在負(fù)載電壓為交流24V的情況下工作嗎？ 2、隔離與非隔離問題系列 這里的隔離是指模擬量模塊的基準(zhǔn)電位點(diǎn)MANA與地（也是PLC的數(shù)據(jù)地）隔離。 響應(yīng)時(shí)間取決于循環(huán)時(shí)間和以下因素： 信號模塊或集成I/0的輸入和輸出延遲（請參考手冊） PROFIBUS-DP網(wǎng)絡(luò)中的其他DP循環(huán)時(shí)間（只適用于CPU31xC-2DP) 在用戶程序中的執(zhí)行情況 ①*短響應(yīng)時(shí)間由以下組成： 1×輸入的過程映像傳送時(shí)間＋1×輸出的過程映像傳送時(shí)間＋ 1×程序執(zhí)行時(shí)間＋1×SCC操作系統(tǒng)執(zhí)行時(shí)間＋ I/O延遲時(shí)間即循環(huán)時(shí)間和再加上I/0延達(dá)時(shí)問 ②*長響應(yīng)時(shí)間由以下組成： 2×輸入的過程映像傳送時(shí)間＋2×輸出的過程映像傳送時(shí)間＋ 2×操作系統(tǒng)執(zhí)行時(shí)間＋2×程序執(zhí)行時(shí)間＋ 4×DP伺服報(bào)文分段的運(yùn)行時(shí)間（包括DP從站中的執(zhí)行時(shí)間）＋ I/0延遲時(shí)間也就是等于兩倍的循環(huán)時(shí)間＋ 輸入和輸出延遲時(shí)間＋2×總線運(yùn)行時(shí)間 (1)減少響應(yīng)時(shí)間 在用戶程序中直接訪問I/0，這將在指令運(yùn)行期間執(zhí)行。

目前，在使用和設(shè)計(jì)IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。瞬雷電子公司利用在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)和設(shè)計(jì)優(yōu)勢，結(jié)合瞬態(tài)抑制二極管的特點(diǎn)，在研究IGBT失效機(jī)理的基礎(chǔ)上，通過整合系統(tǒng)內(nèi)外部來突破設(shè)計(jì)瓶頸。本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)設(shè)計(jì)的解決方案。

在較大輸出功率的場合，比如工業(yè)領(lǐng)域中的、UPS電源、EPS電源，新能源領(lǐng)域中的風(fēng)能發(fā)電、太陽能發(fā)電，新能源汽車領(lǐng)域的充電樁、電動控制、車載里，隨處都可以看到IGBT的身影。

　　IGBT失效場合：來自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電、電機(jī)感應(yīng)電動勢、負(fù)載突變都會引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底，IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。

F4-150R12KS4
F4-150R12KS4
F4-100R12KS4
F4-100R06KL4
F3L300R07PE4
DZ800S17K3
DZ600N12K
DP15H1200T
DP10H1200T
DM2G400SH6N
DM2G400SH6A
DM2G300SH6N
DM2G300SH12A 使用IGBT的時(shí)候，首先要關(guān)注原廠提供的數(shù)據(jù)、應(yīng)用手冊。在數(shù)據(jù)手冊中，尤其要關(guān)注的是IGBT重要參數(shù)，如靜態(tài)參數(shù)、動態(tài)參數(shù)、短參數(shù)、熱性能參數(shù)。這些參數(shù)會告知我們IGBT的*值，就是*不能越的。設(shè)計(jì)完之后，在工作時(shí) IGBT的參數(shù)也是同樣需要保證在合理數(shù)據(jù)范圍之內(nèi)。
DM2G200SH6N
DM2G150SH12A
DM2G100SH6N
DIM800NSM33-F076
DIM800NSM33-F011
DF300R12KE3
DDB6U84N16RR
DDB6U144N16RR
DDB6U144N16R
DDB6U134N16RR
DDB6U104N16RR

IGBT模塊SKM200GB128D在用戶程序中，不可以同時(shí)編程SEND作業(yè)和FETCH作業(yè)。附件：屏蔽原件S7-300的模塊機(jī)架（起物理支撐作用，無背板總線）

IGBT 的柵極－發(fā)射極驅(qū)動電壓 VGE 的保證值為 ± 20V, 如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上出保證值的電壓 , 則可能會損壞 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驅(qū)動電路中應(yīng)當(dāng)設(shè)置柵壓限幅電路。另外 , 若 IGBT 的柵極與發(fā)射極間開路 , 而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓 , 則隨著集電極電位的變化 , 由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在 , 使得柵極電位升高 , 集電極－發(fā)射極有電流流過。這時(shí)若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時(shí) , 可能會使 IGBT 發(fā)熱甚至損壞。如果設(shè)備在運(yùn)輸或振動過程中使得柵極回路斷開 , 在不被察覺的情況下給主電路加上電壓 , 則 IGBT 就可能會損壞。為防止此類情況發(fā)生 , 應(yīng)在 IGBT 的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十 k Ω 的電阻 , 此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。

在新能源汽車中，IGBT約占電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半，而電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)占整車成本的15-20%，也就是說IGBT占整車成本的7-10%，是除之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率。如圖 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 雙極晶體管的復(fù)合體 , 特別是其柵極為 MOS 結(jié)構(gòu) , 因此除了上述應(yīng)有的保護(hù)之外 , 就像其他 MOS 結(jié)構(gòu)器件一樣 ,IGBT 對于靜電壓也是十分敏感的 , 故而對 IGBT 進(jìn)行裝配焊接作業(yè)時(shí)也必須注意以下事項(xiàng)：
—— 在需要用手接觸 IGBT 前 , 應(yīng)先將人體上的靜電放電后再進(jìn)行操作 , 并盡量不要接觸模塊的驅(qū)動端子部分 , 必須接觸時(shí)要保證此時(shí)人體上所帶的靜電已全部放掉 ;
—— 在焊接作業(yè)時(shí) , 為了防止靜電可能損壞 IGBT, 焊機(jī)一定要可靠地接地。

A5E01283291原裝
A5E01283282-001驅(qū)動板
6SE7041-2WL84-1JC0觸發(fā)板
6SE7041-2WL84-1JC1驅(qū)動板
電阻模塊A5E00281090
A5E00682888
A5E00194776
6SE7038-6GK84-1JC2驅(qū)動板
6SL3162-1AH00-0AA0
A5E01540278排線連接線
A5E01540284連接線
A5E00281090電阻模塊
CUR板C98043-A1680-L1
控制板6SE7090-0XX85-1DA0
6SL3040-1MA00-0AA0控制單元
6SE7033-7EG84-1JF0板驅(qū)動板
6SE7035-1EJ84-1JC0驅(qū)動板
6SE7090-0XX84-6AD5控制板
6SY7000-0AC07
霍爾傳感器ES2000-9725

IGBT模塊SKM200GB128D有些模塊定義的參數(shù)較多，且大多數(shù)是模塊獨(dú)有的參數(shù)，如PID模塊，則可以把該模塊定義為功能塊，然后為它生成背景數(shù)據(jù)塊，這樣它可以使用屬于自己的背景數(shù)據(jù)。調(diào)用該功能塊是，需要連同背景數(shù)據(jù)塊一起調(diào)用?？梢远x如下共享數(shù)據(jù)類型：程序數(shù)據(jù)在下載時(shí)即寫入MMC，電源故障和存儲器復(fù)位都不能影響它。 注意事項(xiàng)：在關(guān)聯(lián)通道的數(shù)據(jù)塊中，必須預(yù)先將數(shù)據(jù)雙字DBD14(LOAD_VAL)設(shè)置為初始值(如L#0)。

使用說明4AP2142-5FF10-0AA0：

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