IGBT綜合特性測(cè)試儀

價(jià)格
電議

型號(hào)
HUSTEC-1600A-MT

品牌
華科智源

所在地
廣東省 深圳市

更新時(shí)間
2024-07-25 09:14:59

瀏覽次數(shù)

    華科智源IGBT綜合特性測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線,測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì),封裝測(cè)試,軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。

    HUSTEC華科智源

    HUSTEC-1600A-MT

    IGBT綜合特性測(cè)試儀


    一:IGBT綜合特性測(cè)試儀主要特點(diǎn)

    華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試,測(cè)試600A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè),測(cè)試方便,測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試,通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;


    IGBT綜合特性測(cè)試儀測(cè)試參數(shù):

    ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

    IGESF 正向柵極漏電流

    IGESR 反向柵極漏電流

    BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

    VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

    VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

    ICON 通態(tài)電極電流

    VGEON 通態(tài)柵極電壓

    VF 二極管正向?qū)▔航?/strong>

    整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用。


    二:華科智源IGBT綜合特性測(cè)試儀應(yīng)用范圍

    A:IGBT單管及模塊,

    B:大功率場(chǎng)效應(yīng)管(Mosfet)

    C:大功率二極管

    D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

    E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)


    三、華科智源IGBT綜合特性測(cè)試儀特征:

    A:測(cè)量多種IGBT、MOS管

    B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測(cè)試范圍廣;

    C:脈沖寬度 50uS~300uS

    D:Vce測(cè)量精度2mV

    E:Vce測(cè)量范圍>10V

    F:電腦圖形顯示界面

    G:智能保護(hù)被測(cè)量器件

    H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能

    I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

    J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

    K: 生成測(cè)試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

    L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比,觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比;


    序號(hào)

    測(cè)試項(xiàng)目

    描述

    測(cè)量范圍

    分辨率

    精度

    1

    VF

    二極管正向?qū)▔航?

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    2

    IF

    二極管正向?qū)娏?

    0~1200A

    ≤200A時(shí),0.1A

    ≤200A時(shí),±1%±0.1A

    3

    >200A時(shí),1A

    >200A時(shí),±1%

    4

    Vces

    集電極-發(fā)射極電壓

    0~5000V

    1V

    ±1%,±1V

    5

    Ic

    通態(tài)集電極電流

    0~1200A

    ≤200A時(shí),0.1A

    ≤200A時(shí),±1%±0.1A

    6

    >200A時(shí),1A

    >200A時(shí),±1%

    7

    Ices

    集電極-發(fā)射極漏電流

    0~50mA

    1nA

    ±1%,±10μA

    8

    Vgeth

    柵極-發(fā)射極閾值電壓

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    9

    Vcesat

    集電極-發(fā)射極飽和電壓

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    10

    Igesf

    正向柵極漏電流

    0~10uA

    1nA

    ±2%,±1nA

    11

    Igesr

    反向柵極漏電流

    12

    Vges

    柵極發(fā)射極電壓

    0~40V

    1mV

    ±1%,±1mV








    測(cè)試參數(shù):

    ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

    IGESF 正向柵極漏電流

    IGESR 反向柵極漏電流

    BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

    VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

    VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

    ICON 通態(tài)電極電流

    VGEON 通態(tài)柵極電壓

    VF 二極管正向?qū)▔航?

    IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用


    1) 物理規(guī)格

    設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;

    質(zhì)量:30kg

    2) 環(huán)境要求

    海拔高度:海拔不過(guò) 1000m;

    儲(chǔ)存環(huán)境:-20℃~50℃;

    工作環(huán)境:15℃~40℃。

    相對(duì)濕度:20%RH ~ 85%RH ;

    大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。

    防護(hù):無(wú)較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;

    3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%;

    電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz


    以上信息由企業(yè)自行提供,信息內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé),儀器儀表交易網(wǎng)對(duì)此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
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