WPRD501導波雷達物位計

價格
電議

型號
WPRD501

品牌
為普

所在地
陜西省 西安市

更新時間
2019-03-16 02:50:03

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    雷達物位計由天線發(fā)射極窄的微波脈沖,脈沖以光速在空間傳播,遇到被測介質(zhì)表面,其部分能量被反射回來,被同線接收。發(fā)射脈沖與接收脈沖的時間間隔與天線到被測介質(zhì)表面的距離成正比,從而計算出天線到被測介質(zhì)表面的距離。

    一、概述

    采用了的微處理器和的EchoDiscovery回波處理技術,導波雷達物位計可以應用于各種復雜工況。 多種過程連接方式及探測組件的型式,適于各種復雜工況及應用場合。如:高溫、高壓及小介電常數(shù)介質(zhì)等。

    采用脈沖工作方式,導波雷達物位計發(fā)射功率極低,可安裝于各種金屬、非金屬容器內(nèi),對人體及環(huán)境均無傷害。

    二、測量原理

    導波雷達發(fā)出的高頻微波脈沖沿著探測組件(鋼纜或鋼棒)傳播,遇到被測介質(zhì),由于介電常數(shù)突變,引起反射,一部分脈沖能量被反射回來。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時間間隔與被測介質(zhì)的距離成正比。

    容器中存在兩種不同介質(zhì),當上面一層的介質(zhì)介電常數(shù)較小,而下面的介質(zhì)介電常數(shù)較大時,高頻微脈沖沿著探測組件傳播遇到上層介質(zhì)時,由于其介電常數(shù)較小,因而有極少的能量被這一層介面反射,而大部分能量穿透上層介質(zhì)繼續(xù)向下傳播,遇到兩層的介面時,由于下層介質(zhì)的介電常數(shù)較大,因而會有較大的能量被反射回來。因而導波雷達是可以測量兩種不同介質(zhì)的介面,其測量條件是上層介質(zhì)不導電或其介電常數(shù)比下層介質(zhì)介電常數(shù)小10以上。

    三、技術參數(shù)

    l  大量程: 30m

    l  測量精度: ±10mm

    l  天線結(jié)構(gòu): 不銹鋼316L喇叭/PTFE振子

    l  過程連接:  法蘭、螺紋

    l  過程溫度: -40~150 °C

    l  過程壓力: -0.1-4MPa(法蘭)

    l  防護等級:IP67

    l  防爆等級:ExiaIIC T6

    l  信號輸出: (4~20)mA/HART(兩線/四線)

    l  供電電源: 兩線制(DC24V)

    l                     四線制(DC24V/AC220V)

    l  應  用:液體,特別適合介電常數(shù)較小的液體

    l             適用于高溫高壓復雜過程條件

    四、儀表選型

    WPRD501

    WPRD501導波雷達物位計

     

    P

    標準型(非防爆)

    I

    本安防爆型(ExiaII CT6

     

    天線形式/材料/過程溫度

    A

    纜式/不銹鋼316L/ PTFE

    B

    桿式/不銹鋼316L/PTFE

    B2

    雙桿式/不銹鋼316L/PTFE

    X

    特殊定制

     

    過程連接

    G

    螺紋  G1?A

    N

    螺紋   1?NPT

    FA

    法蘭DN50

     

    輸出信號

    2

    (420)mA/HART兩線制

    4

    (420)mA/HART兩線/四線制

     

    外殼/防護等級

    A

    /IP68

    B

    塑料/IP66

    C

    不銹鋼316L/IP67

     

    電纜進線

    M

    M20*1.5

    N

    1/2NPT

     

    現(xiàn)場顯示/編程

    V

    X

    不帶

     

     

    WPRD501

    P

    B

    G

    2

    A

    M

    X

     



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