- ·全新STEMMANN-TECHNIK...
- ·山東省煙臺市電子廠無塵車間潔凈度檢測...
- ·全新HUBNER重載型編碼器
- ·全新EPE高壓過濾器
- ·煙臺市工業(yè)電子廠房潔凈檢測項目-天津...
- ·安康三閥組生產(chǎn)廠家
- ·黃岡紅安縣檢具測量獲*CNAS認可第...
- ·全新MATRIX剎車盤
- ·宿州差壓變送器三閥組 VT廠家
- ·濟南市電子廠房空氣潔凈度檢測收費-天...
- ·常州分體式三閥組廠家直銷
- ·運城控制與保護開關(guān)KBO-45之內(nèi)用...
- ·全新SAUTER溫度傳感器
- ·潔凈電子廠潔凈車間檢測項目及要求-天...
- ·酒泉差壓變送器三閥組 VT現(xiàn)貨出售
使用說明4AP2142-5FF10-0AA0
本公司主要經(jīng)營：西門子S72/3/400、S71200、S71500全系列，觸摸屏6AV，DP接頭，6XV總線電纜，通訊模塊6GK系列，SITOP電源6EP系列。變頻調(diào)速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090，C98043等系列，6SE70，MM4系列及變頻調(diào)速器配件。數(shù)控伺服6SN,6FC,S120,G120。產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)保一年
4AP2142-5FF10-0AA0在主站plc可以通過調(diào)用SFC14“DPRD_DAT“和SFC15“DPWR_DAT“來完成和從站的數(shù)據(jù)交換，而對于從站來說可以調(diào)用FC1“DP_SEND“和FC2”DP_RECV“完成數(shù)據(jù)的交換。。PSU8600可全面集成到TIAPortal工程平臺，因此有助于自動化工程的快速實施。SM323模塊有16位類型(6ES7323-1BL00-0AA0)和8位類型(6ES7323-1BH00-0AA0)兩種。對于16位類型的模塊，輸入和輸出占用“X”和“X+1”兩個地址。如果SM323的基地址為4(即X=4；插槽為5),那么輸入就被賦址在地址4和5下面,輸出的地址同樣也被賦址在地址4和5下面。在模塊的接線視圖中，輸入字節(jié)“X”位于左邊的頂部，輸出字節(jié)
絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 是由 MOSFET 和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件 , 其輸入極為 MOSFET, 輸出極為 PNP 晶體管 , 因此 , 可以把其看作是 MOS 輸入的達林頓管。它融和了這兩種器件的優(yōu)點 , 既具有 MOSFET 器件驅(qū)動簡單和快速的優(yōu)點 , 又具有雙極型器件容量大的優(yōu)點 , 因而 , 在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
在中大功率的開關(guān)電源裝置中 ,IGBT 由于其控制驅(qū)動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點 , 已逐步取代晶閘管或 GTO 。但是在開關(guān)電源裝置中 , 由于它工作在高頻與高電壓、大電流的條件下 , 使得它容易損壞 , 另外 , 電源作為系統(tǒng)的前級 , 由于受電網(wǎng)波動、雷擊等原因的影響使得它所承受的應(yīng)力更大 , 故 IGBT 的可靠性直接關(guān)系到電源的可靠性。因而 , 在選擇 IGBT 時除了要作降額考慮外 , 對 IGBT 的保護設(shè)計也是電源設(shè)計時需要重點考慮的一個環(huán)節(jié)。
IGBT：
1、可以等效為（或理解為）：場效應(yīng)管與大功率三極管組成的復(fù)合管。
2、特性類似于場效應(yīng)管。輸入阻抗非常高，輸出阻抗低，驅(qū)動功率非常小，主要是結(jié)電容引起的驅(qū)動電流、放大倍數(shù)高。
3、開關(guān)頻率較高，耐壓高、通流能力強（額定電流大）。
4、主要用于：變頻器（逆變）、電磁爐，中、大功率逆變、氬弧焊機等、高頻電源
IGBT模塊FD300R12KE3
IGBT模塊CM400HA-24A
IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1
IGBT模塊6SY7000-0AC37
IGBT模塊FZ1200R12KF5
IGBT模塊6SY7000-0AC77
IGBT模塊FF150R12KE3G
IGBT模塊1MBI300SA-120B-52
IGBT模塊1MBI200SA-120B-52
IGBT模塊SKIIP 11NAB063T42
IGBT模塊FF200R12KE3
IGBT模塊BSM25GP120
IGBT模塊FZ1000R12KF5
IGBT模塊6SY7000-0AC80
IGBT模塊6SY7000-0AD33
IGBT模塊FZ1000R16KF4
IGBT模塊6SY7000-0AD04
IGBT模塊6SY7000-0AC85
IGBT模塊SKM200GB128D
IGBT模塊FZ2400R17KE3
4AP2142-5FF10-0AA0例:S7-300AI8xRTD：的溫度輸入操作誤差是+/-1.0攝氏度。當(dāng)以華氏溫度測量時，可接受的*誤差是+/-1.8華氏度。 如果不想獲得補償，只需在前面的開關(guān)上簡單的跨接針腳3-4和針腳5-6。 參數(shù)2：輸出點的切換頻率??? S7-200數(shù)字量模塊晶體管輸出類型的DO點不能輸出高速脈沖；繼電器輸出的DO點*切換頻率為1HZ且有機械壽命，因此不能頻繁開關(guān)。
IGBT 的等效電路如圖 1 所示。由圖 1 可知 , 若在 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓 , 則 MOSFET 導(dǎo)通 , 這樣 PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通 ; 若 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為 0V, 則 MOSFET 截止 , 切斷 PNP 晶體管基極電流的供給 , 使得晶體管截止
由此可知 ,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定：
—— IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓 ;
如果 IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓 , 即驅(qū)動電壓過低 , 則 IGBT 不能穩(wěn)定正常地工作 , 如果過高過柵極－發(fā)射極之間的耐壓則 IGBT 可能*性損壞 ; 同樣 , 如果加在 IGBT 集電極與發(fā)射極允許的電壓過集電極－發(fā)射極之間的耐壓 , 流過 IGBT 集電極－發(fā)射極的電流過集電極－發(fā)射極允許的*電流 ,IGBT 的結(jié)溫過其結(jié)溫的允許值 ,IGBT 都可能會*性損壞。
3 柵極串聯(lián)電阻對柵極驅(qū)動波形的影響
柵極驅(qū)動電壓的上升、下降速率對 IGBT 開通關(guān)斷過程有著較大的影響。 IGBT 的 MOS 溝道受柵極電壓的直接控制，而 MOSFET 部分的漏極電流控制著雙極部分的柵極電流，使得 IGBT 的開通特性主要決定于它的 MOSFET 部分，所以 IGBT 的開通受柵極驅(qū)動波形的影響較大。 IGBT 的關(guān)斷特性主要取決于內(nèi)部少子的復(fù)合速率，少子的復(fù)合受 MOSFET 的關(guān)斷影響，所以柵極驅(qū)動對 IGBT 的關(guān)斷也有影響。
在高頻應(yīng)用時，驅(qū)動電壓的上升、下降速率應(yīng)快一些，以提高 IGBT 開關(guān)速率降低損耗。
IGBT模塊BSM300GA170DN2S
IGBT模塊6SY7000-0AC61
IGBT模塊1MBI400NA-120-02
IGBT模塊6SY7000-0AF07
IGBT模塊SKM400GA124D
IGBT模塊FZ800R16KF4
IGBT模塊FZ3600R17HE4
IGBT模塊A5E02507176
IGBT模塊FZ3600R17HE4P
IGBT模塊FZ2400R17HE4P_B9
IGBT模塊FZ1800R12KF4_S1
IGBT模塊6SY7000-0AD51
IGBT模塊FZ1600R17HP4_B2
IGBT模塊FZ1200R17KE3_S1
IGBT模塊FZ1200R17KE3
IGBT模塊FZ1200R17HE4P
IGBT模塊FZ1200R16KF4
IGBT模塊FZ1200R12KL4C
IGBT模塊BSM75GD120DN2
IGBT模塊BSM50GD120DN2G
4AP2142-5FF10-0AA0請遵守以下安裝原則：標(biāo)準(zhǔn)模塊(IM、SM、FM、CP)必須插到隔離模塊左側(cè)的插槽中，防錯數(shù)字E/A模塊必須插到隔離模塊右側(cè)的插槽中。在本例中整數(shù)[1,1]后面是整數(shù)[1,2]，整數(shù)[1,3]后面是整數(shù)[2,1]。
2 保護措施
在進行電路設(shè)計時 , 應(yīng)針對影響 IGBT 可靠性的因素 , 有的放矢地采取相應(yīng)的保護措施。
2 ． 1 IGBT 柵極的保護
IGBT 的柵極－發(fā)射極驅(qū)動電壓 VGE 的保證值為 ± 20V, 如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上出保證值的電壓 , 則可能會損壞 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驅(qū)動電路中應(yīng)當(dāng)設(shè)置柵壓限幅電路。另外 , 若 IGBT 的柵極與發(fā)射極間開路 , 而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓 , 則隨著集電極電位的變化 , 由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在 , 使得柵極電位升高 , 集電極－發(fā)射極有電流流過。這時若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時 , 可能會使 IGBT 發(fā)熱甚至損壞。如果設(shè)備在運輸或振動過程中使得柵極回路斷開 , 在不被察覺的情況下給主電路加上電壓 , 則 IGBT 就可能會損壞。為防止此類情況發(fā)生 , 應(yīng)在 IGBT 的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十 k Ω 的電阻 , 此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。如圖 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 雙極晶體管的復(fù)合體 , 特別是其柵極為 MOS 結(jié)構(gòu) , 因此除了上述應(yīng)有的保護之外 , 就像其他 MOS 結(jié)構(gòu)器件一樣 ,IGBT 對于靜電壓也是十分敏感的 , 故而對 IGBT 進行裝配焊接作業(yè)時也必須注意以下事項：
2 集電極與發(fā)射極間的過壓保護
過電壓的產(chǎn)生主要有兩種情況 , 一種是施加到 IGBT 集電極－發(fā)射極間的直流電壓過高 , 另一種為集電極－發(fā)射極上的浪涌電壓過高。
2.2.1 直流過電壓
直流過壓產(chǎn)生的原因是由于輸入交流電源或 IGBT 的前一級輸入發(fā)生異常所致。解決的辦法是在選取 IGBT 時 , 進行降額設(shè)計 ; 另外 , 可在檢測出這一過壓時分斷 IGBT 的輸入 , 保證 IGBT 的安全。
2.2.2 浪涌電壓的保護
因為電路中分布電感的存在 , 加之 IGBT 的開關(guān)速度較高 , 當(dāng) IGBT 關(guān)斷時及與之并接的反向恢復(fù)二極管逆向恢復(fù)時 , 就會產(chǎn)生很大的浪涌電壓 Ldi/dt, 威脅 IGBT 的安全。
由以上分析可知，柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對 IGBT 的開通過程影響較大，而對關(guān)斷過程影響小一些，串聯(lián)電阻小有利于加快關(guān)斷速率，減小關(guān)斷損耗，但過小會造成 di/dt 過大，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。因此對串聯(lián)電阻要根據(jù)具體設(shè)計要求進行全面綜合的考慮。
柵極電阻對驅(qū)動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時會造成脈沖振蕩，過大時脈沖波形的前后沿會發(fā)生延遲和變緩。 IGBT 的柵極輸入電容 Cge 隨著其額定電流容量的增加而增大。為了保持相同的驅(qū)動脈沖前后沿速率，對于電流容量大的 IGBT 器件，應(yīng)提供較大的前后沿充電電流。為此，柵極串聯(lián)電阻的電阻值應(yīng)隨著 IGBT 電流容量的增加而減小。
IGBT模塊6SY7000-0AA82
IGBT模塊6RY1700-0AA03
IGBT模塊2MBI150S-120-52
IGBT模塊2MBI100S-120-52
IGBT模塊1MBI400S-120
IGBT模塊FZ900R16KF4
IGBT模塊FZ900R16KF4
IGBT模塊FZ800R16KF4
IGBT模塊FZ2400R17KE3_B9_S1
IGBT模塊FZ1000R16KF4
IGBT模塊FS300R12KE4
IGBT模塊6SY7000-0AF11
IGBT模塊6SY7000-0AF11
4AP2142-5FF10-0AA0FM350-2允許*多四個計數(shù)值或測量值直接顯示在模塊I/O上。可通過使用“通道”功能來定義哪個單個測量值要顯示在I/O區(qū)。根據(jù)計數(shù)值或測量值的大小，必須在“用戶類型”中將數(shù)據(jù)格式參數(shù)化為“Word”或“Dword”。如果參數(shù)化為“Dword”，每個“用戶類型”只能有一個計數(shù)值或測量值。如果參數(shù)化為“Word”，可以讀進兩個值。在用戶程序中，命令LPIW用于Word訪問，LPID用于Dword訪問。 2.2.5接地 1．搭接 低電阻接地連接可以減少發(fā)生短路或系統(tǒng)故障時的電擊危險。
